当芯片进入5nm时，很多人就怀疑这个纳米工艺，是不是快到尽头了？

因为硅原子是有大小的，纳米工艺不可能比硅原子还小吧，所以纳米工艺一定有物理极限，很多人都觉得，这个极限可能在1nm。

但事实上，真的如此么？不是的，就算按照每一代比上一代缩小30%的话。

3nm后是2nm，再是1.4nm，再是1nm，0.7nm，0.5nm……

要知道硅原子的直径大约是0.22nm，所以就算按极限来讲，比一个硅原子大就行了，那么在0.5nm，之后，还有0.3nm……

事实上，按照ASML光刻机的规划路径，在2037年的时候，就会实现0.2nm的工工艺，在2039年之后，要实现比0.2nm更小的芯片工艺。

如下图大家就看到，未来15年，ASML都认为工艺会一直进步，不存在极限。

估计很多人又有疑问了，这么小的工艺，甚至比一颗原子还小，这芯片是怎么刻出来的？不应该啊。

事实上，这里就牵涉到另外一个问题了，那就是当前的纳米工艺，代表的并不是某一项特定的指标，比如晶体管大小，栅极宽度，金属半间距等等。

大家一定要有一个认知，那就是XX纳米，代表的也不是晶体管就是XX纳米之类的……

事实上，在ASML看来，XX纳米并不重要，重要的是金属半间距，也就是晶体管之间的导线距离，太短了会被电流击穿的，因为晶体管之间是要通电的，通过断、通电来进行计算。

这个才是光刻机最为关注的指标，只要这个距离是可以刻录的，那么就行了。

这个金属半间距，实际上和XX纳米对比，是天差地别的。大家继续看上图，能够看到A10工艺，也就是1nm时，这个间距是18nn。

ASML认为，哪怕芯片达到0.2nm时，这个间距还有16-12nm，所以0.2nm的芯片是一定会有的，后续0.2nm之后，还会有N代。

可以说，摩尔定律一定会继续，不会停止不前进了，按照这种逻辑，芯片工艺几十年内都不会达到极限，会一直进步。

之前有很多人表示，目前的芯片工艺达到极限了，那么台积电、三星们就会在前面等着我们，我们虽然在后面，但只要台积电、三星停下来了，我们就有机会追得上。

其实还真不是这样的，因为这堵墙，并不存在，台积电们还在往前走。

更重要的，就算真的达到极限了，对方可能会换个方向，研究其它材料去了，基于之前的技术、能力、资金等优势，对方一样可能起步更快，速度更快。

所以对于我们而言，不是期待对方遇到墙了，跨不过去了，不得不停下来等等我们，而是想方设法跑快一点，这样才能尽快的、真正的追上去。